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MEMS OSCILLATORS FOR VERSATILE USE MEMS OSCILLATORS AEC-Q100 QUALIFIED MEMS RUGGEDIZED OSCILLATORS MEMS OCXOS & TCXOS MEMS DIFFERENTIAL OSCILLATORS

MEMS SPREAD SPECTRUM XOS

Systementwickler können mit den konfigurierbaren Spread-Spectrum-Oszillatoren von SiTime die Einhaltung von Emissionsgrenzwerten erreichen, ohne das PCB-Layout zu ändern oder eine mechanische Abschirmungen verwendet werden muss.

Diese Spread-Spectrum-Oszillatoren reduzieren die EMI entweder durch Spreizspektrums-Taktung oder durch die Verwendung der FlexEdge™-Funktion bzw. durch eine Kombination aus beidem. Die werksseitige Konfigurierbarkeit ermöglicht eine schnelle Bemusterung für Entwicklungsaufgaben. So können Entwicklungsingenieure mit Oszillatoren verschiedener Konfigurationen zur EMI-Reduzierung experimentieren, um einen optimalen Kompromiss zwischen EMI und Systemleistung zu erreichen.

Beschreibung

Die Nichteinhaltung von Emissionsgrenzwerten, die typischerweise in der letzten Phase der Produktentwicklung auftreten, kann zu ungeplantem Aufwand bei der Fehlersuche und zu kostspieligen Produktionsverzögerungen führen.
Die Spread-Spectrum-Oszillatoren tragen zur Reduzierung der EMI bei und gewährleisten die Einhaltung der Emissionsgrenzwerte durch Spread Spectrum Taktung sowie die Anpassung der Anstiegs- und Abfallzeit des Taktsignals.
Diese Oszillatoren sind werksseitig konfigurierbar, somit können die EMI-seitigen Anforderungen sicher und flexibel configuriertt werden.
Die Produkte sind als industrielle, AEC-Q100 Version, für die Automobilindustrie und als hochzuverlässige Produkte für raue Umgebungen in der Luft- und Raumfahrt, sowie im Verteidigungsbereich (ultraniedrige Beschleunigungsempfindlichkeit bei 0.1 ppb/g) erhältlich.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 1 MHz ~ 150 MHz
  • Beste Temperaturstabilität ±20 ppm
  • Weitester Temperaturbereich -55 °C ~ +125 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 1.8 Volt ~ 3.3 Volt
  • Kompatibel zu Standard-Oszillatorgehäusen und Pad-Layouts
  • Äußerst hohe Zuverlässigkeit
  • FlexEdge™-Anstiegs-/Abfallzeit
  • Spreizung Option: Center: ±0.125 % bis ±2.0 %, Down: -0.25 % bis -4.0 %
  • Spreizprofil: Dreieck, Hershey Kiss

Drop-in Ersatz für die folgenden Gehäuseabmessungen

  • 2016 (2.0 x 1.6 x 0.75 mm)
  • 2520 (2.5 x 2.0 x 0.75 mm)
  • 3225 (3.2 x 2.5 x 0.75 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT9005
1.0 MHz – 141.0 MHz
2016 – 3225
1.8 V / 2.5 V – 3.3 V
-40 °C – +85 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9005
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 141.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V – 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +85 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT9025
1.0 MHz – 150.0 MHz
2016 – 3225
1.8 V / 2.5 V – 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9025
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 150.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V – 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT9045
1.0 MHz – 150.0 MHz
2016 – 3225
1.8 V / 2.5 V – 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9045
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 150.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V – 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
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